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晶片加工问题，寻求技术支持

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发表于 2015-8-13 17:06:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

晶片加工问题，寻求技术支持

1、两种晶向（111）和（100）的硅片在腐蚀岗位，（100）晶向的为何更易出沾污（在腐蚀工序前，清洗工艺完全一样）？

2、硅片背面做多晶，弯/翘曲为何会增大30至50μm?通过氧化炉1100℃热处理20至30S，弯/翘曲就会恢复到背封前水平，硅片经过这一高温短暂过程，是否会对硅片晶体有影响？

目前此问题上一直没有得到比较好的解决，希望能够得到更好的技术支持。

关于这个项目，希望进一步沟通下,也可以私信我！
QQ：2115562681
电话13162965822

感谢您的支持，我会继续努力的!

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