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特定温度下奥氏体晶粒变化猜想。

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[LV.Master]伴坛终老

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发表于 2016-3-29 11:02:20 | 显示全部楼层 |阅读模式
我们知道过热是某一种材料在过高温度下保温时间过长造成的。这里的前提是温度过高、时间过长,那我们是否可以说在恰当温度下,不管保温时间多长,奥氏体晶粒是不会长大的?所以我有一些猜想:
1:如果某一温度下奥氏体晶粒只能长到一定程度。现在假设840只能长到6级,现在我930让它快速长到6级,然后快速降温到840,在这个温度下奥氏体晶粒是不是就停止长大了?因为之前高温快速的加热,奥氏体成分均匀化不充分,而在840下奥氏体晶粒不再长大,唯一可做的就是把奥氏体晶粒的成分更加均匀化。
2:如果说特定材料在特定温度下奥氏体晶粒长大有极限,那么是否说明,混晶出现的可能性只出现在成分不均的材料,因为在特定均匀成分下奥氏体晶粒只能到一定大小,如果出现混晶,那只能是因为成分的不均匀性,造成在不同温度下晶粒度不同?
3:在特定温度下奥氏体晶粒不变,在一个成分均匀的材料中(理想化情况下),在特定温度下超长时间保温,那么最终会不会每个晶粒基本一样大?

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发表于 2016-3-29 16:06:33 | 显示全部楼层
有个疑问:快速升温过程,表面跟心部的奥氏体晶粒能够做到同时长大么,感觉晶粒长大不充分(有些长大,有些还没有达到。。。)的可能性更大一点。。。
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[LV.Master]伴坛终老

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 楼主| 发表于 2016-3-29 16:55:39 | 显示全部楼层
曾经最美 发表于 2016-3-29 16:06
有个疑问:快速升温过程,表面跟心部的奥氏体晶粒能够做到同时长大么,感觉晶粒长大不充分(有些长大,有些 ...

不好意思,条件说的不太清楚,并不是像感应淬火那么快。可以把试样假设到1mm厚,排除你说的这种情况后再进行下一步。
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